半導体アンプゲインはＮＦＢ量で決まるので、Ｌ／Ｒゲイン差の心配はまずない
ご存じのように、真空管アンプは半導体アンプと異なり、多量のＮＦＢはアンプの安定度に悪影響を与えます。
また、そのためか、多量のＮＦＢ（２０ｄＢくらい）を掛けた真空管アンプの音質は表情が硬くなり、多くの方が聴いてわかるほどです。
但し、ＮＦＢループ内にトランスの入らないＳＥＰＰ回路の場合は、それほど悪化せず、むしろ残留ノイズ、ひずみ率が向上しますが、音質はイマイチハードな傾向になります。
ちなみに半導体アンプでもあまりにも（５０ｄＢ以上のような）多量ＮＦＢアンプでは音質表情がハードになります。
そのため、位相補償をおこなって、高域に行くにしたがってＮＦＢ量が減るような手法を採用するのが通常です。
ＭＡＳＴＥＲＳのＭＯＳＦＥＴアンプのＮＦＢ量は少なく、せいぜい３０ｄＢです。
従って、半導体アンプでは、アンプゲインはＮＦＢ量で決まるので、ＭＦＢ抵抗の誤差だけ考慮すればよくなります。
真空管における出力管の差し替えによる注意ポイント
さて、話を戻して、出力トランス付きの真空管アンプでは、上記の理由により、ＮＦＢ量は少なくしております。
多くとも８ｄＢ程度、平均すれば、３～６ｄＢと少ない設計となっております。
そうなると、アンプゲインはバイアス電圧との相関が大きくなります。具体的には、バイアス電圧を大きく（深く）すれば、アンプゲインは下がります。
Ｌ／Ｒチャンネルのゲインを合わせるためには、バイアス電圧を微調整する必要があります。もちろん、使用する真空管の特性が合っていれば、このような調整が不要です。
けれども、Ｌ／Ｒゲインを±０．１ｄＢ以内と厳しく合わせていくと、無調整というわけにはいきません。
セルフバイアス方式なら、ゲインが合うということは固定バイアス方式よりも緩くなりますが、それでもＬ／Ｒゲインの差異はパワー真空管特性により生じてきます。
さらに、前段真空管のゲインも、パワー真空管よりばらつきは少ないですが、同じブランドでも±０．２ｄＢ程度のゲイン変動があります。
普通の聴力の方なら、±０．５ｄＢ程度のＬ／Ｒバランス差は許容できる範囲です。
そこで、どうしても真空管の差し替えをしたい方は、Ｌ／Ｒ別ボリュームやＬ／Ｒバランスボリュームを付けることをお勧めします。
また、リスニングルーム特性、スピーカー特性のばらつきによっても、Ｌ／Ｒサウンドの大きさは出ます。
